一种半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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一种半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了半导体器件及其制备方法，包括衬底、多层半导体层、介质层、源极、栅极和漏极，多层半导体层中形成有栅极沟槽第一分部，介质层中形成有栅极沟槽第二分部；栅极沟槽第二分部中，第一侧壁和/或第二侧壁形成有至少一级台阶结构；栅极包括栅极第一分部和栅极第二分部，栅极第二分部的覆盖面积大于栅极第一分部的覆盖面积；栅极第一分部的高度与第i级台阶表面至栅极沟槽第一分部的底部的长度相同，靠近第i子侧壁的一侧与第i子侧壁之间存在第一间隙；栅极第二分部延伸至第i级台阶表面上。综上，可以实现半导体器件高频特性、抑

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864241 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 201911101786.5 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日 2019.1