半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法.pdf

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本申请公开了一种半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法，该沟槽栅结构的制造方法包括：在半导体结构表面形成牺牲层，其中半导体结构包括半导体层、位于半导体层中的沟槽、覆盖于半导体层上并填充于沟槽内的栅极导体层，且对应于沟槽的栅极导体层表面具有凹陷结构，牺牲层至少填充凹陷结构的一部分；同步刻蚀牺牲层与栅极导体层，以平坦化栅极导体层的表面。该沟槽栅结构的制造方法在保证该半导体器件的沟槽栅结构具有较高质量的同时，还降低了沟槽栅结构的制造难度与制造成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542387 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202011416328.3 (22)申请日 2020.12.04 (71)申请人北京燕东微电子科技有限公司