半导体器件的制作方法及半导体器件.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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半导体器件的制作方法及半导体器件.pdf

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本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件。所述方法包括：提供置顶晶圆，包括顶芯衬底；提供第一晶圆，包括第一衬底；将置顶晶圆与第一晶圆正面对正面相键合，并使置顶晶圆的正面朝上，第一晶圆的正面朝下；在第一衬底背面形成包括有第一互连层键合垫的第一互连层；提供第二晶圆；将第二晶圆的正面与第一互连层相键合，使第二晶圆结合至第一晶圆上，形成键合结构，第二晶圆的正面朝下；翻转键合结构，以将顶芯衬底背面置顶，并使所述第一晶圆的正面朝上，所述第二晶圆的正面朝上，并在顶芯衬底中形成焊盘引出点。本发明能够使置

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542378 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202011388107.X (22)申请日 2020.12.01 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司