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半导体装置的形成方法.pdfVIP

半导体装置的形成方法.pdf

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    一种半导体装置的形成方法，该方法包含形成第一导电部件于基板上。形成接触第一导电部件的导孔。导孔包含导电材料。对导孔的顶表面执行化学机械研磨(CMP)工艺。沉积层间介电(ILD)层于导孔上。形成沟槽于层间介电层中，以暴露导孔。以接触导孔的第二导电部件填充沟槽。第二导电部件包含与导电材料相同的材料。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530862 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010980084.5 (22)申请日 2020.09.17 (30)优先权数据 16/573,71

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