有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，衬底上形成有鳍部，鳍部包括密集区和稀疏区；在衬底上形成横跨鳍部的栅极结构和源漏掺杂层，源漏掺杂层位于栅极结构两侧的鳍部内；在衬底上形成介质层，介质层覆盖栅极结构的顶部；在稀疏区的栅极结构一侧的介质层内形成第一通孔，第一通孔的底部暴露出栅极结构的顶部侧壁。本发明由于形成的第一通孔的深度变浅，后续在第一通孔内填充的金属层时，能够在第一通孔内填充金属层的体积量减少，从而使得栅极结构与源漏掺杂层连接处产生的寄生电容得到减少，使得形成的半导体
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542506 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 20191
文档评论（0）