气化装置、衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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气化装置、衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf

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本发明涉及气化装置、衬底处理装置、清洁方法、半导体器件的制造方法及记录介质。气化装置具有：原料容器，其贮存液体原料；第1加热部，其浸渍于所述液体原料中、对液体原料进行加热；第2加热部，其对原料容器进行加热；第1温度传感器，其浸渍于所述液体原料中、对液体原料的温度进行测定；第2温度传感器，其浸渍于液体原料中、对液体原料的温度进行测定；和控制部，其构成为基于由第1温度传感器测定的温度对第1加热部进行控制，并且基于由第2温度传感器测定的温度对第2加热部进行控制。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530836 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010964913.0 (22)申请日 2020.09.14 (30)优先权数据 2019-1694