一种高性能存储设备和方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种高性能存储设备和方法.pdf

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本发明公开了一种高性能存储设备和方法，所述Flash存储模块分设于不同的通道，用于实现数据的分散存储，并通过其对应的读写接口实现数据读写的并发性。本发明存储设备采用容量大价格不高的NandFlash作为存储，采用最高速率可达10GB/s的PCI‑E接口。本发明采用多通道传输技术，多个通道可以同时传输，且参考Raid0的数据存储方式，把数据分散存储到不同通道上的NandFlash，提高了数据读写的并发性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112527198 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011434779.X (22)申请日 2020.12.10 (71)申请人南京富士通南大软件技术有限公司