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本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种用于封装的引线框架、半导体封装结构及封装方法。本发明的引线框架包括多个引线框架单元,相邻两个引线框架单元之间设置有凹形槽,且该凹形槽的开口方向为竖直向上。本发明先用酸性蚀刻液处理基板上表面去除引线框架单元之间的部分厚度,形成开凹形槽,再在塑封后用碱性蚀刻液去除基板剩余的金属连接部,通过碱性蚀刻的工艺条件控制获得理想的蚀刻效果,使得相邻封装单元之间仅通过塑封料连接,而无金属连接,可实现在切割前进行整体测试,简化单个封装体的测试流程,提高产品检测效率,同时避
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530895 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011521988.8 (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人 宁波康强电子股份有限公司
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