一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法，光电阴极包括正极、负极、指数掺杂层、绝缘层。正极为纳米条带阵列；所述正极接入电源正极，所述负极接入电源负极。其中所述指数掺杂层包括阴极发射层、保护层和基底；所述阴极发射层为纳米圆柱；阴极发射层材料为指数掺杂的In0.53Ga0.47As，保护层材料为In0.63Ga0.37As，基底材料为n型GaAs(100)基底。本发明还公开了上述光电阴极的制备方法。在本发明中通过外加强电场的方式来降低阴极的表面功函数，可以有效减少光电阴极性能的衰减。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530768 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011514561.5 (22)申请日 2020.12.21 (71)申请人中国计量大学地址