集成电路器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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集成电路器件及其制造方法.pdf

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一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出并沿第一方向延伸；多个半导体图案，与鳍型有源区的上表面分开设置，所述多个半导体图案均包括沟道区；栅电极，围绕所述多个半导体图案，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且包括主栅电极和子栅电极，其中所述主栅电极设置在所述多个半导体图案中的最上方半导体图案上并在第二方向上延伸，且所述子栅电极设置在多个半导体图案之间；第一间隔结构，设置在所述主栅电极的两个侧壁上；以及源极区/漏极区，与所述多个半导体图案相连，设置在所述栅电极的两侧，并接触所述间隔结构的底表面

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530944 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010643649.0 H01L 29/78 (2006.01)