一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构.pdfVIP

下载本文档

1
0
约4.83千字
约 5页
2023-06-01 发布于四川
举报
版权申诉

一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种减小暗电流和电学串扰的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的感光元件、浅槽隔离、浅槽隔离区的复合注入层、介质层、接触孔以及置于正面绝缘介质中的金属互连线。在相邻的感光器件之间的浅槽隔离区形成一层复合注入层，复合注入层包含高浓度低能量N型掺杂、低浓度高能量N型多步掺杂以及低浓度中能量P型多步掺杂，复合注入层形成有效的浓度梯度并通过接触孔连接到外部偏压或电源上，复合注入层通过外部偏压形成的电场并在此电场的驱动下，不仅消除了来自衬底串扰的电子，而且也吸收了在浅槽隔离与硅基界面所产生

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530986 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011413537.2 (22)申请日 2020.12.04 (71)申请人上海韦尔半导体股份有限公司