低粒子等离子体蚀刻的方法和设备.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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低粒子等离子体蚀刻的方法和设备.pdf

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一种等离子体蚀刻装置，包括用于至少一个板形基板的真空腔室(2)，真空腔室具有环绕中心轴线(A)的侧壁(18，18’)，该腔室包括基板处理开口(28)；用于还原性气体和惰性气体的至少一个入口(34)；基座(11，11’)，其在腔室(2)的蚀刻隔室(31)的中央下部区域中形成为基板支撑件，基座(11)以电隔离的方式安装在腔室(2)中，并连接到第一电压源(8)的第一极，从而形成第一电极(11，11’)，基座包围第一加热和冷却机构(16，16’)；第二电极(12，12’)，其电连接到地并围绕第一电极(1

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112534546 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 201980053752.5 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公