非晶态二硫化钼柔性压力传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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本发明公开了一种非晶态二硫化钼柔性压力传感器及其制备方法，所述非晶态二硫化钼柔性压力传感器，包括：柔性基底，所述柔性基底上设置有电极和若干非晶态二硫化钼薄膜；所述电极与所述非晶态二硫化钼薄膜接触；其中，所述若干非晶态二硫化钼薄膜构成压力敏感元件。本发明的制备方法工艺简单，操作易控、MoS2薄膜沉积速率高、成膜致密均匀，易于大批生产；制备的MoS2薄膜受压后阻值变化显著，且随压力的改变呈现出规律性变化，输出性能优异，基于该压阻薄膜制备的柔性压力传感器具有宽量程、超灵敏、柔软易变形以及适用于多尺度测

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112539859 B (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202011366780.3 (22)申请日 2020.11.26 (65)同一申请的