半导体装置、其制造方法及半导体存储装置.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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半导体装置、其制造方法及半导体存储装置.pdf

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本发明的实施方式提供一种能提高氧化膜与导电膜的密接性且降低导电膜的电阻的半导体装置、其制造方法及半导体存储装置。实施方式的半导体装置的制造方法是在半导体基板上形成含有第1元素的氧化膜，并使用含有金属元素的材料气体、还原所述金属元素的还原气体及将所述材料气体导至所述基板的载气在所述氧化膜上形成导电膜；该半导体装置的制造方法中，所述材料气体、所述还原气体及所述载气中的至少一种气体包含氧元素，且形成所述导电膜时的所述基板的温度高于所述金属元素的氧化物的升华温度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530905 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 20201