单晶硅片材的制造方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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单晶硅片材的制造方法.pdf

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本申请提供了一种单晶硅片材的制造方法，包括：沿单晶硅棒材的径向或轴向方向切割单晶硅棒材，获得单晶硅基板；通过湿法腐蚀，对单晶硅基板的顶面和底面蚀刻多孔硅结构；通过化学气相沉积，在多孔硅结构上沉积单晶硅薄层，使得单晶硅薄层的厚度达到预定值；以及从多孔硅结构上剥离单晶硅薄层，获得单晶硅片材。本申请能够提高化学气相沉积法直接制作单晶硅硅片法产能，并且将硅片制造的工艺步序同传统上属于电池制造的扩散发射极的工序融合到一起，从而显著地降低了太阳能单晶硅电池的制造成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112553685 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20191