包括存储器单元及选择栅极的组合件.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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包括存储器单元及选择栅极的组合件.pdf

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本申请案涉及包括存储器单元及选择栅极的组合件。一些实施例包含一种组合件，其具有包含电介质层级及导电层级的存储器堆叠。选择栅极结构在所述存储器堆叠上方。沟槽延伸穿过所述选择栅极结构。所述沟槽沿着横截面具有第一侧及相对的第二侧。所述沟槽将所述选择栅极结构分成第一选择栅极配置及第二选择栅极配置。空隙在所述沟槽内且横向地在所述第一选择栅极配置与所述第二选择栅极配置之间。通道材料柱延伸穿过所述存储器堆叠。存储器单元沿着所述通道材料柱。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530973 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010973610.5 (22)申请日 2020.09.16 (30)优先权数据 16/574,41