三维存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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三维存储器及其制备方法.pdf

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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上交替叠置栅线牺牲层和绝缘介质层以形成叠层结构，并形成穿透叠层结构的沟道孔；以及去除栅线牺牲层以及去除孔壁牺牲层的与栅线牺牲层相对的部分以形成牺牲间隙。根据该制备方法，可缩小三维存储器中存储单元串的沟道孔的关键尺寸，同时还可加大栅极导电层在叠层厚度方向的尺寸，以提高三维存储器的结构密度，降低三维存储器的功耗，提高其编程/擦除的运行速度，并减小栅极导电层自身的电阻，减小栅极漏电流，提高三维存储器的性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112530975 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202011418899.0 (56)对比文件 (22)申请日 2020.12.07