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一种氮化物半导体发光元件(1)，是层叠有AlGaN系的氮化物半导体并发出中心波长为290nm至360nm的紫外光的氮化物半导体发光元件，具备：n型包覆层(30)，其由n型AlGaN形成；以及活性层(50)，其设置在上述n型包覆层(30)上，包含单量子阱结构(50A)，上述单量子阱结构(50A)包括由AlGaN形成的1个势垒层(51)、以及由具有比形成该1个势垒层(51)的AlGaN的Al组成比小的Al组成比的AlGaN形成的1个阱层(52)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112544005 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 201980050721.4 (74)专利代理机构 北京市隆安律师事务所
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