一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法.pdf

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一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法，所述方法包括步骤：获取待评估射频功率LDMOS器件；对所述射频功率LDMOS器件进行TLPESD测试；对高压工作的所述射频功率LDMOS器件进行Load‑pull测试；对预设鲁棒性工艺下的所述射频功率LDMOS器件进行VSWR测试；对低压工作的所述射频功率LDMOS器件进行UIS测试；综合根据所有测试结果得到鲁棒性评估结果。本申请提供的一种射频功率LDMOS器件封装级鲁棒性评估方法主要对封装级的射频功率LDMOS器件进行鲁棒性的评估，随着对鲁棒性

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112526310 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011351763.2 (22)申请日 2020.11.26 (71)申请人中国科学院微电子研究所