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2023-06-01 发布于四川
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半导体装置.pdf

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本发明提供一种能够实现SOA的扩大、以及击穿电压的提高的半导体装置。在基板的表层部，设置有具有导电性的子集电极层。在俯视时，在子集电极层的内部，配置有集电极层、基极层、以及发射极层。集电极层与子集电极层连接。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的发射极电极配置于与发射极层重叠的位置。在俯视时具有在第一方向上较长的形状的基极电极在与第一方向正交的第二方向上与发射极电极隔着间隔来配置。在俯视时，从发射极电极观察集电极电极配置于第二方向的一侧，而未配置于另一侧。在基极电极的长度方向的两端以外的部位，基极

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112531022 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010985508.7 (22)申请日 2020.09.18 (30)优先权数据