一种混杂基体SiCf/SiC复合材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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一种混杂基体SiCf/SiC复合材料及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种混杂基体SiCf/SiC复合材料及其制备方法，所述方法包括：对SiC纤维预制件进行预处理，并在SiC纤维预制件的表面沉积一层PyC界面层或BN界面层；将沉积界面层的SiC纤维预制件放置在SiC沉积炉中，以氢气鼓泡三氯甲基硅烷作为源气，氩气为稀释气体，得到沉积有CVISiC基体的中间体；将中间体真空浸渍在聚碳硅烷溶液中，得到PIPSiC基体，同时重复PIP循环周期5~6次，即得混杂基体SiCf/SiC复合材料。本发明方法显著降低了制备复合材料的闭孔率，提高了其致密度以及显微组织

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112521156 B (45)授权公告日 2021.04.27 (21)申请号 202110186870.2 C04B 35/628 (2006.01) (22)申