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2023-06-01 发布于四川
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半导体存储装置.pdf

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实施方式提供一种能够提高写入动作的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：字线(WLn－1)，电连接于在衬底的上方设置的第1存储单元；字线(WLn)，电连接于在第1存储单元的上方设置的第2存储单元；字线(WLn+1)，电连接于在第2存储单元的上方设置的第3存储单元；字线(WLn+2)，电连接于在第3存储单元的上方设置的第4存储单元；以及驱动器(18)，对字线(WLn－1)～(WLn+2)施加电压。驱动器(18)在写入动作中，对字线(WLn)施加写入电压(VPGM)，对字线(WLn－

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530486 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 20201