半导体装置以及电力变换装置.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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半导体装置以及电力变换装置.pdf

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半导体基板(30)具有第1面(S1)和具有内侧区域(RI)和外侧区域(RO)的第2面(S2)。半导体基板(30)具备具有第1导电类型的漂移层(1)和具有第2导电类型的终端阱区域(2)。终端阱区域(2)具有从内侧区域(RI)与外侧区域(RO)之间向外侧区域(RO)延伸的部分。第1电极(8)设置于第1面(S1)上。第2电极(5)设置于内侧区域(RI)的至少一部分之上，向终端阱区域(2)电连接，具有位于内侧区域(RI)和外侧区域(RO)的边界上的缘。周边构造(7、7M)离开第2电极(5、50)而设置于

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112534584 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 201880096162.6 (51)Int.Cl.