半导体结构的加工方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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半导体结构的加工方法及半导体结构.pdf

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本发明提供了一种半导体结构的加工方法及半导体结构，涉及半导体结构加工技术领域，加工方法包括如下步骤：形成包括砷化镓部和铝镓砷部的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓部进行刻蚀，在砷化镓部内形成贯穿砷化镓部的上部凹槽；利用等离子刻蚀方式对铝镓砷部进行刻蚀，在铝镓砷部内形成与上部凹槽连通的中部凹槽；在中部凹槽的周向侧壁上形成第一级侧墙结构，第一级侧墙结构底部具有开口，以第一级侧墙结构为掩模利用等离子刻蚀方式对中部凹槽的底面进行刻蚀，从而形成下部凹槽；利用等离子体轰击砷化镓部的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112509918 B (45)授权公告日 2021.04.23 (21)申请号 202110122312.X (51)Int.Cl.