一种全无机量子点基阻变存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种全无机量子点基阻变存储器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种全无机量子点基阻变存储器及制备方法，涉及半导体领域，包括自下而上依次设置的基板、底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极与阻变层之间还设置有缓冲层。本发明通过增加铁电材料缓冲层，使阻变存储器的工作电压降低至0.3V以下，存储窗口提高到107量级以上；器件在持续工作1.4×106s后阻变性能退化小于0.01％，并且在104次快速读取测试中显示出良好的耐久性。所述设计大大提升了量子点阻变存储器的阻变性能，加速了量子点基阻变存储器的商业化进程。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112510147 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202011409082.7 (56)对比文件