一种肖特基二极管的制备方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种肖特基二极管的制备方法.pdf

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本发明涉及一种肖特基二极管的制备方法，包括：选取[111]晶向GeOI衬底；在GeOI衬底顶层Ge的第一区域上表面生长Sn层；在Sn层和GeOI衬底的第二区域上表面淀积SiO2保护层；对GeOI衬底、Sn层、SiO2保护层的整个材料进行激光再晶化工艺处理，形成DR‑Ge1‑xSnx复合层；使用离子注入工艺对复合层注入N型离子，形成n+DR‑Ge1‑xSnx层；使用离子注入工艺对第二区域注入N型离子，形成n‑Ge层；刻蚀GeOI衬底形成凹槽并填充；在n+DR‑Ge1‑xSnx层上表面形成第一金属电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112509923 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011468503.3 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人西安科