一种含Ti的Si-C-N陶瓷先驱体及其合成方法和应用.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种含Ti的Si-C-N陶瓷先驱体及其合成方法和应用.pdf

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本发明公开了一种含Ti的Si‑C‑N陶瓷先驱体及其合成方法和应用，将聚甲基硅烷先置于反应釜中，将反应釜升温至80～120℃，然后将含乙烯基聚硅氮烷(Vi‑PSN)滴加进反应釜，第一次回流反应，冷却至室温后，再将TiCl4滴加至反应釜内，第二次回流反应，即得含Ti的Si‑C‑N陶瓷先驱体。本发明的合成方法，先将Vi‑PSN与PMS反应，将烯基基团及N元素带入到PMS的分子结构中，然后再利用TiCl4中的Ti‑Cl键与PMS中的Si‑H反应，对PMS进行灭活处理，同时给先驱体引入Ti元素。所得Si‑

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112500574 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202011446876.0 C04B 35/622 (2006.01) (22)申请日 202