像素级CMOS兼容的掺氢非晶硅宽光谱图像传感器.pdfVIP

像素级CMOS兼容的掺氢非晶硅宽光谱图像传感器.pdf

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本发明属于光谱成像技术领域，具体涉及一种光谱成像微型传感器，该传感器是由像素级CMOS图像传感器和一体化集成在传感器上的fp腔滤波器构成。fp腔滤波器组合材料为兼容半导体工艺的掺氢非晶硅和二氧化硅，优选掺氢非晶硅参数，展宽650nm到1000nm的截止带宽，展宽光谱可调谐谱段范围，提高光谱分辨率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510056 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011341609.7 (22)申请日 2020.11.25 (71)申请人天津津航技术物理研究所

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