用于半导体晶片的金属化方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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用于半导体晶片的金属化方法.pdf

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本发明涉及一种用于半导体晶片的金属化方法，至少包括以下步骤：提供半导体晶片，该半导体晶片具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆，其中，每个太阳能电池堆具有以所提到的顺序布置的构造所述半导体晶片的所述下侧的Ge‑衬底、Ge‑子电池和至少两个III‑V‑子电池，以及具有至少一个从半导体晶片的所述上侧达到所述下侧的贯通开口，该贯通开口具有连续的侧壁和在横截面中呈卵形的周边，借助于印刷方法将光刻胶层作为胶图案区域式地施加在所述半导体晶片的所述上侧或所述下侧上或者施加在所述上侧和所述下侧上，将金属层面式地

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447885 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202010883746.7 H01L 31/0725 (2012.01) (22)申请日