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本发明提供等离子体处理装置和处理方法。等离子体处理装置包括:载置基片的第一电极;用于生成等离子体的等离子体生成源;对第一电极供给偏置功率的偏置电源;对等离子体生成源供给频率比偏置功率高的生成源功率的生成源电源;和控制偏置电源和生成源电源的控制部,生成源功率具有第一状态和第二状态,控制部进行控制,使得与跟偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加第一状态和第二状态,其中基准电气状态表示在偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者,并且,控制部在至
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447480 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202010855272.5 (22)申请日 2020.08.24 (30)优先权数据 2019-1598
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