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本发明提供一种用于压接式半导体的高温老化失效的模拟测试装置，包括加热器、压接组件和被测半导体芯片；所述被测半导体芯片设置在压接组件内，所述压接组件放置在加热器内，所述加热器上设置测试引出孔，所述被测半导体芯片通过所述测试引出孔用于和外部测试设备连接。本发明的用于压接式半导体的高温老化失效的模拟测试装置，解决现有的压接式半导体器件为密闭管壳结构，若成为失效器件，则在长期通流过程中内部的各项物理参数难以探测和分析的问题。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112462221 B (45)授权公告日 2022.06.17 (21)申请号 202011219880.3 CN 207937530 U,2018.10.02 (22)申请日
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