薄膜沉积方法及基片.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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薄膜沉积方法及基片.pdf

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本申请提供一种薄膜沉积方法及基片，该薄膜沉积方法，包括循环执行以下步骤，直至基片上沉积的薄膜的厚度达到目标厚度：沉积步骤，将基片传入第一工艺腔室，向第一工艺腔室内通入沉积气体，将沉积气体激发为等离子体，使等离子体轰击第一工艺腔室中的靶材，在基片上沉积形成小于预设厚度的薄膜；刻蚀步骤，将基片传入第二工艺腔室，向第二工艺腔室内通入刻蚀气体，将刻蚀气体激发为等离子体，对沉积步骤中形成的薄膜进行刻蚀，蚀除薄膜的一部分。应用本申请，可以降低薄膜的中心与边缘的厚度和形貌差异，提高薄膜的方阻均匀性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466757 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011332178.8 (22)申请日 2020.11.24 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司