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实施方式提供一种降低晶片面内的光输出的变动的光半导体元件。实施方式的光半导体元件具有基板、发光层、和分布布拉格反射器。发光层具有AlGaAs多量子阱层。分布布拉格反射器设置在基板与发光层之间，周期性地层叠了第1层与第2层的对。第1层包含AlxGa1－xAs，第2层包含Inz(AlyGa1－y)1－zP。第1层的折射率n1比第2层的折射率n2高。以所述分布布拉格反射器的反射率的波长分布中的频带的中心波长为λ0，第1层具有比λ0/(4n1)大的厚度。第2层具有比λ0/(4n2)小的厚度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447888 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申
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