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本发明涉及可控硅静电保护技术领域，具体涉及一种应用于深亚微米级电路静电防护的可控硅器件。该结构中，N型阱区中的上部并排设置有第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，以形成第一空白掺杂区；P型阱区中的上部并排设置有第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，以形成第二空白掺杂区；多晶硅与第一空白掺杂区存在重合区域，且覆盖第二空白掺杂区的顶部；硅化物阻隔层与第一P型重掺杂区存在重合区域，并与多晶硅存在重合区域，还覆盖第二空白掺杂区的顶部中多晶硅未覆盖区域。本发明利用硅化物阻挡层良好的限流能力，提高了SCR泄放静
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466938 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011349222.6 (22)申请日 2020.11.26 (71)申请人 中国科学院微电子研究所
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