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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括多个像素单元区以及位于所述多个像素单元区之间的间隔区，所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底背面的介质层；于所述间隔区贯穿所述介质层并纵向至少延伸至所述衬底内部的深隔离结构，所述深隔离结构包括至少贯穿所述介质层的光子隔离层以及围绕所述光子隔离层设置的电子隔离层；以及，位于所述深隔离结构顶部并与所述光子隔离层连接的金属栅格结构。本发明能够防止入射光子串扰到在相邻像素单元，提高光学隔离效果，进而提高半导体器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112436025 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202011324007.0 (22)申请日 2020.11.23 (71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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