制作光子晶体的方法及光子晶体.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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制作光子晶体的方法及光子晶体.pdf

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本发明提供了一种制作光子晶体的方法及光子晶体，该制作光子晶体的方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上沉积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成凹槽；采用原子层沉积(ALD)工艺在所述凹槽内形成侧墙；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成孔洞结构。采用原子层沉积侧墙工艺，减小孔洞尺寸，实现超出光刻机能力范围的光子晶体结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112462452 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011165681.9 (22)申请日 2020.10.27 (71)申请人中国科学院微电子研究所