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本发明公开了一种栅极退火及侧墙形成方法，通过对预先进行刻蚀形成了栅极的栅极器件，在升温处理阶段进行第一氧化处理，在栅极器件的栅极表面生成第一厚度的栅极侧墙；其次，在升温至预设的退火温度时，对具有第一厚度的栅极侧墙的栅极器件同时进行第二氧化处理和第一热退火处理，以使栅极侧墙由第一厚度增加至第二厚度；最后，对具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件在氮气气氛下进行第二热退火处理。通过该方法可以实现同时进行栅极侧墙的氧化和退火，可减少工艺流程，降低工艺风险，提高生产效率，还可以有效避免多晶硅表面生成氮化物，致
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447517 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 201910817583.X (22)申请日 2019.08.30 (71)申请人 株洲中车时代半导体有限公司
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