具有掩埋栅结构的半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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具有掩埋栅结构的半导体器件及其制造方法.pdf

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公开了一种用于改善栅致漏极泄漏的半导体器件及其制造方法，并且所述方法可以包括：在衬底中形成沟槽；用初始栅极电介质层内衬沟槽的表面；形成栅电极以部分地填充内衬的沟槽；形成牺牲材料，牺牲材料与栅电极的顶表面间隔开并选择性地覆盖内衬的沟槽的顶角；去除由牺牲材料暴露的内衬的沟槽的初始栅极电介质层的一部分，以形成气隙；以及在栅电极之上形成覆盖层以覆盖气隙的侧表面。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447521 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20201