半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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半导体器件的制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体结构，所述半导体结构包括介质层和金属层，所述金属层形成于所述介质层的部分表面；在所述介质层和所述金属层上形成氧化层；在所述氧化层上形成钝化层；对所述半导体结构进行合金工艺。本发明提供的所述半导体器件的制造方法通过调整半导体结构的工艺流程，将合金工艺设置在钝化层的沉积工艺之后，减少所述半导体结构中的金属层在后续的刻蚀或其他工艺中因温度过高、内部应力过大而产生的表面凸起，从而提高产品良率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466810 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011394176.1 (22)申请日 2020.12.01 (71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司