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本发明提供一种三维存储器及其制备方法，该三维存储器包括外围电路芯片，包括半导体衬底以及依次形成于半导体衬底上的外围电路及互连层，在外围电路芯片的边缘区域形成有显露出半导体衬底的沟槽；依次设置于沟槽及外围电路及互连层上的底部半导体层、中间半导体层及顶部半导体层，中间半导体层由设置于内部区域的中间层主体部和设置于第一沟槽内的中间层连接部组成；在该沟槽内，底部半导体层、中间半导体层及顶部半导体层与半导体衬底电连接。通过在外围电路芯片边缘区域形成沟槽，并利用该沟槽将底部半导体层、半导体牺牲层及顶部半导体
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466881 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011226470.1 (22)申请日 2020.11.04 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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