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本发明公开了一种半导体器件以及半导体器件制备方法，该半导体器件在接触孔中设置有接触焊盘结构，该接触焊盘结构设置为包括第一接触垫、随形覆盖第一接触垫的第二接触垫以及位于第二接触垫上的接触塞，第一接触垫与基底中的有源区充分接触，可以有效降低接触电阻，并且，通过设置叠层结构的接触垫，第一接触垫可以作为第二接触垫的缓冲层，避免第二接触垫中的掺杂离子渗透进基底中，影响导电性；另外，接触孔中的空隙形成于第一接触垫与接触孔的一侧侧壁之间，可以有效降低空隙对导电性的影响，从而有利于极大的提高半导体器件的导电特性
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466847 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011338461.1 (22)申请日 2020.11.25 (71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司
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