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本发明公开了一种包含电子存储层的GaN基LED外延结构及其生长方法，在InyGa1‑yN/GaN发光层与AlGaN电子阻挡层之间设置InxGa1‑xN电子存储层，其中InxGa1‑xN中的x值为0.05。本发明在发光层的最后一层势垒层与电子阻挡层之间引入一层InxGa1‑xN量子势垒作为电子存储层。引入电子存储层后，InGaN材料的引入会在电子阻挡层与GaN势垒之间形成一个电子势阱，该势阱可以储存大量泄漏电子，可以有效减少器件的俄歇复合效率，可以增大与电子阻挡层之间的极化电场，能够有效提高电子阻
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112467004 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 202011195587.8 B82Y 40/00 (2011.01)
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