一种硅基OLED全彩器件结构及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种硅基OLED全彩器件结构及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种硅基OLED全彩器件结构及其制作方法，所述硅基OLED全彩器件结构的制作方法包括：在硅基基板上制作阳极、像素定义层形成子像素层；在所述子像素层上蒸镀白光器件和封装层；在所述封装层上制作RGB彩膜；以及将双透镜结构的玻璃盖板贴敷于所述RGB彩膜上，其中所述双透镜结构的玻璃盖板的两侧均被配置为凸透镜结构，且两侧的凸透镜结构相对称设置。该硅基OLED全彩器件结构及其制作方法能够制作出聚光的OLED全彩器件结构，避免亮度的损失。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466914 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011293732.6 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人安徽熙泰智能科技有限公司