半导体存储装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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半导体存储装置及其制造方法.pdf

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实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；多个导电层，配设在与衬底的表面交叉的第1方向，且在与第1方向交叉的第2方向延伸；多个绝缘层，分别设置在多个导电层之间；半导体层，在第1方向延伸，与多个导电层及多个绝缘层对向；及栅极绝缘层，设置在多个导电层与半导体层之间；且具有形成多个导电层、多个绝缘层、半导体层及栅极绝缘层的第1区域、以及与该第1区域不同的第2区域，多个导电层包含多个第1导电层及多个第2导电层，所述半导体存储装置在第2区域的与多个第1导电层相同的层具

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447756 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20201