半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

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实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体衬底，具有第1面、设置在较第1面更深位置的第1触点部、及从第1触点部突出至较第1面更高位置的第2触点部；积层体，在第1面上交替地积层着绝缘层与电极层；及半导体膜，在第2触点部上以与第1面垂直的第1方向在积层体内延伸。在第1触点部和第2触点部的界面上，第1触点部的与第1面平行的第2方向的长度长于第2触点部的第2方向的长度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112447755 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 20201