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本发明提供一种三维存储器的制造方法及三维存储器，在三维存储器的制造方法中，由于台阶区上第一堆叠结构顶部的部分常规半导体层替换为替代半导体层，且在刻蚀第一堆叠结构顶部的常规半导体层时，替代半导体层的刻蚀速率高于常规半导体层的刻蚀速率，使得刻蚀形成的栅线分隔槽在阵列区和台阶区的刻蚀深度不一样，基于此，后续在栅线分隔槽的侧壁上形成的阻挡层会遮挡住台阶区上第一堆叠结构中部的常规半导体层，通过栅线分隔槽的底部湿法刻蚀去除第一堆叠结构中部的常规半导体层时，台阶区上第一堆叠结构中部的常规半导体层被保护柱，强化
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466882 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011302330.8 (22)申请日 2020.11.19 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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