一种半导体消除内应力的方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种半导体消除内应力的方法.pdf

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本发明提供了一种半导体消除内应力的方法，包括以下步骤：(1)提供半导体元件和陶瓷板，在半导体元件正面形成保护膜并将半导体元件背面粘贴于陶瓷板正面；(2)对陶瓷板背面在离子刻蚀机抽真空后进行第一次刻蚀，刻蚀气体为包括氧气和氩气的混合气体，所述混合气体中氧气和氩气的体积比为1:5‑1:2；(3)对陶瓷板背面在离子刻蚀机抽真空后进行第二次刻蚀，刻蚀气体为氧气；(4)去除半导体元件正面的保护膜。本发明方法可以减少在半导体加工过程中通过胶水将半导体元件粘接到陶瓷板这个工序的内应力，减少了半导体元件的变形，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397383 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20191