一种使中间带隙半导体纳米晶实现光学性质转变的方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种使中间带隙半导体纳米晶实现光学性质转变的方法.pdf

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本发明提供了一种通过外延生长CdS量子点的方法，将中间带隙半导体纳米晶从具有等离子体共振吸收的光学特性向激子特性转变。近些年来，中间带隙半导体纳米晶由于具有独特的光学性质，对光电和光伏器件等应用具有重要意义而受到广泛关注；然而关于纳米级的中间带隙半导体的光电性质还有待进一步的探索。在本发明中，通过在Cu3VS4这种三元铜硫系中间带隙半导体纳米晶外延生长CdS量子点，即改变纳米晶周围介质环境，实现了该中间带隙半导体纳米晶光学性质的转变。为进一步研究用于太阳能捕获的纳米级的中间带隙半导体的光电性质奠

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112391164 B (45)授权公告日 2021.12.31 (21)申请号 201910753807.5 B82Y 20/00 (2011.01)