一种碳化硅MOS器件.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种碳化硅MOS器件.pdf

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本发明公开了一种碳化硅MOS器件，包括金属漏极，金属漏极的上端面设有漏电极，漏电极的上端面设有N+型碳化硅衬底，N+型碳化硅衬底的上端面设置有N型碳化硅漂移区，N型碳化硅漂移区的上端面生长有碳化硅N‑外延层；碳化硅N‑外延层左上方和右上方均具有源极沟槽，源极沟槽下方自上而下具有碳化硅P+掺杂区以及碳化硅P型掺杂区；碳化硅N‑外延层的上端面设有源极金属，碳化硅N‑外延层和源极金属上设有贯穿的槽，槽内壁以及外表面设有栅氧化层，槽内设有栅极低阻淀积物；槽顶端自下而上依次设有栅氧化层、栅极低阻淀积物、栅

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397592 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011295998.4 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人江西万年芯微电子有限公司