一种DFB激光芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种DFB激光芯片及其制备方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种DFB激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型InP衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层和光栅层；步骤3：在所述光栅层中制作折射率耦合型光栅，形成双光栅结构；步骤4：二次外延光栅覆盖层、上包覆层和接触层；步骤5：在所述接触层和上包层中刻蚀出激光器波导结构并生长绝缘层；步骤6：刻蚀所述绝缘层形成电流注入窗口；步骤7：在p型表面沉积金属形成p面电极，n面衬底减

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382925 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011516898.X (22)申请日 2020.12.21 (71)申请人江苏华兴激光科技有限公司